- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录459 > IXFX26N120P (IXYS)MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
IXFK26N120P
IXFX26N120P
30
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
35
25
30
20
15
T J = 125oC
25
20
25oC
125oC
10
25oC
- 40oC
15
10
5
5
0
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
5
10
15
20
25
30
35
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 600V
I D = 13A
I G = 10mA
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
40
80
120
160
200
240
280
320
100000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
0.3
Q G - NanoCoulombs
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
Fig. 12 Maximum Transient Thermal Impedance
10000
1000
Ciss
Coss
0.1
0.01
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXF_26N120P (96)10-24-11-C
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFX32N50
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
IXFX360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
IXFX48N60P
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
IXFX50N50
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
IXFX55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
IXFX60N55Q2
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
IXFX62N25
MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247
IXFX64N50P
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
相关代理商/技术参数
IXFX26N60Q
功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX26N90
功能描述:MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX27N80Q
功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX30N100Q2
功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX30N110P
功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX30N50Q
功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX320N17T2
功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXFX32N100P
功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube