IXFK26N120P
IXFX26N120P
30
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
35
25
30
20
15
T J = 125oC
25
20
25oC
125oC
10
25oC
- 40oC
15
10
5
5
0
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
5
10
15
20
25
30
35
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 600V
I D = 13A
I G = 10mA
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
40
80
120
160
200
240
280
320
100000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
0.3
Q G - NanoCoulombs
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
Fig. 12 Maximum Transient Thermal Impedance
10000
1000
Ciss
Coss
0.1
0.01
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXF_26N120P (96)10-24-11-C
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